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半導体製造用の微細なパーツについて、半導体のスズが付着しない耐汚染性に優れ、細かく高速で摺動する動きに耐えられる被膜として、「タフカーボン」・「タフコンダクター(B・M)」という製品がございます。

タフカーボンの特徴は、①高硬度:Hv5,000、②高密着被膜、③低温成膜:100℃以下などの特徴を有しております。

タフコンダクター(B・M)の特徴は、①低抵抗率、②非汚染性、③耐摩耗性に優れた被膜となります。タフカーボン、タフコンダクター(B・M)ともに一般的なDLC被膜と同様にカーボンを主成分とした被膜であります。

一般的なDLC処理とは処理方法が異なり、弊社ではGCIB法(ガスクラスターイオンビーム法)という処理方法を採用しております。成膜温度が低いことや被膜硬度が高いことがこの処理の特徴となります。

タフカーボン・タフコンダクター(B・M)の詳細は紹介ページをご覧ください。

⇒タフカーボン

⇒タフコンダクター